硅的电学性质:半导体材料的电学性质有两个十分突出的特点,一是导电性介于导体和绝缘体之间,其电阻率约在10-4~1010Ω·cm范围内;二是电导率和导电型号对杂质和外界因素(光、热、磁等)高度敏感。
无缺陷半导体的导电性很差,称为本征半导体。3、加剧硫的危害,氧能使硫在钢中的溶解度降低,加剧硫的有害作用,使钢的热脆倾向更加严重。当掺入极微量的电活性杂质,其电导率将会显著增加,当硅中掺杂以施主杂质为主时,以电子导电为主,成为N型硅;当硅中掺杂以受主杂质为主时,以空穴导电为主,成为P型硅。硅中P型和N型之间的界面形成PN结,它是半导体器件的基本结构和工作基础。
加热下能同单质的卤素、氮、碳等非金属作用,也能同某些金属如Mg、Ca、Fe、Pt等作用。(4)Si-O键是具有50%离子键特征的共价键(共价键具有方向性,离子键无方向性)。生成硅化物。不溶于一般无机酸中,可溶于碱溶液中,并有氢气放出,形成相应的碱金属硅酸盐溶液,于赤热温度下,与水蒸气能发生作用。 [9] 分类:纯净物、单质、非金属单质。(1)与单质反应:Si + O? == SiO?,条件:加热Si + 2F? == SiF?Si + 2Cl? == SiCl?,条件:高温(2)高温真空条件下可以与某些氧化物反应:2MgO + Si=高温真空 =Mg(g)+SiO?(硅热还原法炼镁)(3)与酸反应:只与反应:Si + 4HF == SiF?↑ + 2H?↑(4)与碱反应:Si + 2OH?+ H?O == SiO?2?+ 2H?↑(如NaOH,KOH)硅可以用于二极管级、整流器件级、电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和深加工制造,其后续产品集成电路和半导体分离器件已广泛应用于各个领域,在军事电子设备中也占有重要地位。硅的物理属性物质状态熔点沸点摩尔体积汽化热熔化热蒸气压声速固态1687K(1414°C)3173K(2900°C)12。 在光伏技术和微小型半导体逆变器技术飞速发展的今天,利用硅单晶所生产的太阳能电池可以直接把太阳能转化为光能,实现了迈向绿色能源革命的开始。